STW26NM60N

STW26NM60N

STW26NM60N
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STW26NM60N
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  726
Склад в г. Тольятти (1 день): 1080
Время выполнения производителем: 14 недель
Цена: $11.8650
Без НДС: $9.8875

10 шт. и выше: $10.0696
100 шт. и выше: $8.7466
250 шт. и выше: $8.2846
500 шт. и выше: $7.4446
1000 шт. и выше: $6.2686
2500 шт. и выше: $5.9536
Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
STW26NM60N Лист данных скачать
МОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh II Power
МОП-транзистор
Высота 20.15 mm
Длина 15.75 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.15 mm
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Qg - заряд затвора 60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 165 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 25 ns
Время спада 50 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки 600
Серия STW26NM60N
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения 85 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412101
TARIC 8541210000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 1.222 секунд.