MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBT5551LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  83711
Склад в г. Тольятти (1 день): 3000
Время выполнения производителем: 8 недель
Цена: $0.3256
Без НДС: $0.2713

10 шт. и выше: $0.2971
100 шт. и выше: $0.1030
1000 шт. и выше: $0.0683
3000 шт. и выше: $0.0526
9000 шт. и выше: $0.0462
24000 шт. и выше: $0.0420
45000 шт. и выше: $0.0358
99000 шт. и выше: $0.0347
Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
MMBT5551LT1G Лист данных скачать
Биполярные транзисторы - BJT 600mA 160V NPN
Биполярные транзисторы - BJT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Непрерывный коллекторный ток 0.6 A
Подкатегория Transistors
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Ширина 1.3 mm
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вес изделия 8 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.15 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Полярность транзистора NPN
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMBT5551L
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
ECCN EAR99
MXHTS 85412101
TARIC 8541210000
USHTS 8541210095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.439 секунд.