MMBT5551LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMBT5551LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: 137334
Склад в г. Тольятти (1 день): 3000
Номер части: MMBT5551LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: 137334
Склад в г. Тольятти (1 день): 3000
Цена: $0.3517
Без НДС: $0.2931
Без НДС: $0.2931
10 шт. и выше: $0.3119
100 шт. и выше: $0.1103
1000 шт. и выше: $0.0745
3000 шт. и выше: $0.0568
9000 шт. и выше: $0.0484
24000 шт. и выше: $0.0442
45000 шт. и выше: $0.0400
100 шт. и выше: $0.1103
1000 шт. и выше: $0.0745
3000 шт. и выше: $0.0568
9000 шт. и выше: $0.0484
24000 шт. и выше: $0.0442
45000 шт. и выше: $0.0400
| Описание | действие |
| MMBT5551LT1G Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT 600mA 160V NPN
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 80 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMBT5551L |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Страница создана за 0.728 секунд.