SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2367DS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  3219
Склад в г. Тольятти (1 день): 330
Цена: $1.0104
Без НДС: $0.8420

Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 3.8 A
Pd - рассеивание мощности 1.7 W
Qg - заряд затвора 15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 66 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 9 ns
Другие названия товара № SI2367DS-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.394 секунд.